第 3 卷 · 工业过程与产品使用 · Ch6 2019RF 修订
Ch6 电子工业Electronics Industry Emissions
本页为章节结构与阅读指引（原创整理）。因版权原因不收录 IPCC 原文正文；公式、表格与完整方法请阅读官方 PDF。
方法要点速查
电子工业的 F-GHG 排放：半导体与液晶面板制造中的刻蚀与腔体清洗气体（CF₄、C₂F₆、NF₃、SF₆ 等），2019RF 大幅扩充了 Tier 3 方法与减排末端处理。
要点
- 排放 = 气体采购量 × 未分解率 − 末端消除量；Tier 3 用腔体级工艺参数与末端破坏效率（DRE）。
- NF₃ 的 GWP 高且用量增长快，是重要关注项。
- 2019RF 新增大量公式（6.2–6.19），覆盖 CF₄/C₂F₆/NF₃/SF₆ 的分别计算与组合工况。
- 半导体 fabs 通常需要 Tier 3（工厂级实测或供应商参数）才能满足精度。
- 边界：设备制造商不在本章（在使用端计）；服务器/PC 中的冷剂归 ODS 替代章。
方法脉络
Tier 1/2
- Tier 1：产量 × 缺省因子（精度低）。
- Tier 2：按工艺类型（蚀刻/CVD 清洗）与设备供应商缺省参数。
Tier 3（主流）
- 腔体级气体输入量 × (1 − 利用率 U) × (1 − DRE)。
- 区分工艺气体（CVD 清洗、等离子刻蚀）与末端消除系统效率。
末端处理
- DRE（破坏去除效率）由测试或厂商提供。
- 带 DRE 的排放 = 未反应气体 − 消除器处理后残余。
关键公式
- 式 6.2 (New) NF₃ 排放
E = 输入量 × (1 − U) × (1 − DRE)NF₃ 清洗/蚀刻。 - 式 6.3 (New) CF₄ 副产
由 C₂F₆ 等气体蚀刻副产 CF₄ 估计副产份额因子。 - 式 6.5 (Updated) FETET
全氟化物排放汇总2019RF 更新。 - 式 6.6 (Updated)
按工艺类别汇总2019RF 更新。 - 式 6.7–6.12 (New)
不同气体与工艺组合2019RF 扩充。 - 式 6.15–6.19 (New)
DRE 与旁通情景细化2019RF 扩充。
方法层级选择
| 层级 / 情形 | 适用条件 | 所需数据 |
|---|---|---|
| Tier 1 | 只有产量 | 缺省因子（精度低，不推荐用于关键类别） |
| Tier 2 | 有设备/工艺参数 | 供应商气体使用数据 + 缺省 U/DRE |
| Tier 3 | 关键类别（半导体主要排放源） | 腔体级实测或过程参数 + 末端 DRE 实测 |
易错点
- 只用采购量 × 缺省因子，忽略腔体利用率和末端 DRE（严重高估）。
- NF₃ 与 CF₄ 未能分开计量（GWP 差异大）。
- 副产 CF₄ 未纳入（蚀刻 C₂F₆ 时会副产 CF₄）。
- DRE 取厂商宣传值而非现场测试值。
- 气体罐残量（heel）未扣除或重复计。
- 与 ODS 替代章的 HFC 类气体混淆边界。
对应官方章节
- §6.1 概述与工艺分类；§6.2 半导体制造
- 式 6.2–6.19（2019RF 新增与更新）
- 表 6.1–6.10 气体 GWP、利用率与 DRE 参数
本章为《2019 年修订》文档，逐节说明对 2006 版的修订（未变更处标注 No refinement）。建议结合 2006 版速查页 阅读。